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Method and apparatus for manufacturing a highly conductive transparent film of indium oxide doped with tin and fluorine by APCVD

机译：通过APCVD制造掺杂有锡和氟的氧化铟的高导电性透明膜的方法和设备

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公开/公告号KR920017802A

专利类型
公开/公告日1992-10-21

原文格式PDF
申请/专利权人 리챠드 쥐이. 벨;
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申请/专利号KR19920004058
发明设计人 브루스 에드윈 메이어;
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申请日1992-03-12
分类号B32B15/04;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:28:01

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