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Adaptive or fault tolerant full wafer nonvolatile memory

机译:自适应或容错全晶圆非易失性存储器

摘要

A method and apparatus for providing a flexible and adaptive communication link from one of four wafer input/output channels respectively located on each of four sides of a silicon wafer to a predetermined internal memory-logic site includes in a matrix array of indentical memory-logic sites located on the wafer. A new linkage path can be formed, if necessary, each time a memory-logic is accessed. Each memory-logic site is capable of communicating with any of its neighboring sites, which includes not only its four opposing sides, but also its four adjacent diagonal sites, by one of a plurality of input/output site ports. A programmed external controller coupled to a computer, for example, works from the edge of the wafer through the selected wafer input/output channel and links to any designated memory-logic site for the purpose of data storage, data retrieval or test.
机译:一种用于提供从分别位于硅晶片的四个侧面中的每个侧面上的四个晶片输入/输出通道之一到预定内部存储器逻辑位置的灵活和自适应通信链路的方法和装置,该方法和装置包括在相同的存储器逻辑的矩阵阵列中。位于晶圆上的位置。如有必要,每次访问存储逻辑时都可以形成新的链接路径。每个存储器逻辑站点都能够通过多个输入/输出站点端口之一与它的任何相邻站点通信,该相邻站点不仅包括其四个相对侧,还包括其四个相邻对角线站点。例如,耦合到计算机的编程的外部控制器从晶片的边缘通过选定的晶片输入/输出通道工作,并链接到任何指定的存储逻辑站点,以进行数据存储,数据检索或测试。

著录项

  • 公开/公告号US5105425A

    专利类型

  • 公开/公告日1992-04-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP.;

    申请/专利号US19890458932

  • 发明设计人 JOE E. BREWER;

    申请日1989-12-29

  • 分类号G01R31/28;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 05:23:03

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