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PRODUCTION OF N-T-BUTOXYCARBONYLMALEIMIDE (CO)POLYMER, AND METHOD FOR FORMING HEAT-RESISTANT POSITIVE RESIST IMAGE USING N-T-BUTOXYCARBONYLMALEIMIDE (CO)POLYMER

机译:N-叔丁基羧甲基丙二酰亚胺(CO)聚合物的生产以及使用N-叔丁基羧甲基丙二酰亚胺(CO)聚合物形成耐热正电阻图像的方法

摘要

The copolymer, useful for a heat-resistant positive resist image, of N-t-butoxycarbonyl maleimide and styrene deriv. is produced by radical polycondensing an N-t-butoxycarbonyl maleimide monomer and a styrene deriv. with a radical initiator. The styrene deriv. is pref. styrene, p-acetoxystyrene, p-methylstyrene, p-t-butoxycarbonyloxystyrene, p-trimethylsillylstyrene or p- chlorinated styrene. The resist image is formed by spin-coating a soln. obtd. by dissolving the copolymer and an onium salt in a chlorobenzene on the silicon wafer, prebaking, ultra-violet exposing and postbaking the coated wafer, and developing it with a developing liquor i.e. trimethylammonium hydroxy soln., anisole, toluene, methylisobutyl ketone or chloroform.
机译:N-叔丁氧羰基马来酰亚胺和苯乙烯衍生物可用于耐热正性抗蚀剂图像。通过将N-叔丁氧基羰基马来酰亚胺单体和苯乙烯衍生物进行自由基缩聚反应制得。用自由基引发剂。苯乙烯衍生物。是首选。苯乙烯,对乙酰氧基苯乙烯,对甲基苯乙烯,对叔丁氧基羰基氧基苯乙烯,对三甲基甲硅烷基苯乙烯或对氯苯乙烯。通过旋涂溶胶形成抗蚀剂图像。 t。通过将共聚物和鎓盐溶解在硅晶片上的氯苯中,进行预烘烤,紫外线曝光和后烘烤,然后用显影液,即三甲基氢氧化铵,苯甲醚,甲苯,甲基异丁基酮或氯仿显影。

著录项

  • 公开/公告号JPH0680724A

    专利类型

  • 公开/公告日1994-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KOREA ADVANCED INST OF SCI TECHNOL;

    申请/专利号JP19920024158

  • 发明设计人 TEI TOUIKU;YASUMITSU TOKU;GU TOKUJITSU;

    申请日1992-02-10

  • 分类号C08F22/40;C08F212/04;G03F7/004;G03F7/027;G03F7/039;G03F7/30;G03F7/38;H01L21/027;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 04:49:31

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