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THIN FILM TRANSISTOR HAVING A TRIPLE LAYER DIELECTRIC GATE INSULATOR, METHOD OF FABRICATING SUCH A THIN FILM TRANSISTOR AND AN ACTIVE MATRIX DISPLAY HAVING A PLURALITY OF SUCH THIN FILM TRANSISTORS

机译:具有三层电介质栅极绝缘体的薄膜晶体管,制造这种薄膜晶体管的方法以及具有多个这种薄膜晶体管的有源矩阵显示器

摘要

In an active matrix display having a plurality of thin film transistors for selectively enabling and disabling pixels of the display, the improvement comprising a gate insulator for each of said thin film transistors having triple layer dielectric.
机译:在具有用于选择性地启用和禁用显示器的像素的多个薄膜晶体管的有源矩阵显示器中,该改进包括用于具有三层电介质的每个所述薄膜晶体管的栅极绝缘体。

著录项

  • 公开/公告号CA2150573A1

    专利类型

  • 公开/公告日1994-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LITTON SYSTEMS CANADA LIMITED;

    申请/专利号CA19922150573

  • 发明设计人 WAECHTER DAVID;

    申请日1992-12-01

  • 分类号H01L29/786;G09F9/35;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-22 04:42:09

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