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Method for preventing side diffusion of source / drain region using RTP

机译:利用rtp防止源/漏区侧扩散的方法

摘要

The present invention relates to a method for preventing lateral diffusion of source / drain regions using RTP, and is to reduce the heat treatment process time in seconds and increase the temperature to suppress impurity diffusion.;That is, according to the present invention, a thermal process is performed at a process time of 25 to 30 seconds and a process temperature of 1000 to 1300C in the BPSG flow and the fly-annealing process after the source / drain is formed, And more particularly to a method for preventing lateral diffusion of a source / drain region using an RTP which can obtain a sufficient BPSG flow and a plug annealing state because the process proceeds at a much higher temperature than a conventional thermal process.
机译:本发明涉及一种使用RTP防止源/漏区横向扩散的方法,它减少了以秒为单位的热处理时间,并提高了温度以抑制杂质扩散。即,根据本发明,在形成源极/漏极之后,在BPSG流中的处理时间为25到30秒,处理温度为1000到1300℃的过程中进行热处理,并且在形成源极/漏极之后进行快速退火,特别是涉及一种防止硅化物横向扩散的方法。使用RTP的源/漏区可以获得足够的BPSG流量和插塞退火状态,因为该工艺在比常规热处理高得多的温度下进行。

著录项

  • 公开/公告号KR940010232A

    专利类型

  • 公开/公告日1994-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 김주용;

    申请/专利号KR19920018287

  • 发明设计人 박종근;조웅래;유진산;최호영;

    申请日1992-10-06

  • 分类号H01L21/31;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 04:37:45

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