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Superconductor-semiconductor hybrid memory circuits with superconducting three-terminal switching devices

机译:具有超导三端子开关装置的超导-半导体混合存储电路

摘要

A hybrid superconducting-semiconducting field effect transistor-like circuit element comprised of a superconducting field effect transistor and a closely associated cryogenic semiconductor inverter for providing signal gain is described. The hybrid circuit functions as a nearly ideal pass gate in cryogenic applications.
机译:描述了一种由超导场效应晶体管和紧密相关的用于提供信号增益的低温半导体逆变器组成的混合型超导半导体场效应晶体管样电路元件。在低温应用中,混合电路可作为近乎理想的通过门。

著录项

  • 公开/公告号US5276640A

    专利类型

  • 公开/公告日1994-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICROELECTRONICS COMPUTER TECHNOLOGY CORP;

    申请/专利号US19910717305

  • 发明设计人 GHOSHAL UTTAM S;KROGER HARRY;

    申请日1991-06-17

  • 分类号G11C11/44;G11B11/00;G11C11/34;G11C19/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 04:32:26

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