因此因此,通过使基板的熔融蚀刻表面的污染最小化,本发明可以容易地进行原位熔融蚀刻并且可以提高外延层的质量和外延产率。
公开/公告号US5334278A
专利类型
公开/公告日1994-08-02
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;
申请/专利号US19910752856
发明设计人 SONG J. LEE;
申请日1991-08-30
分类号C30B19/06;
国家 US
入库时间 2022-08-22 04:31:26