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Single event upset hardening of commercial VLSI technology without circuit redesign

机译:无需重新设计电路,即可对商用VLSI技术进行单事件冷门加固

摘要

A fabrication method whereby any commercial integrated circuit design can be made SEU hardened simply by the fabrication process. No circuit redesign is required nor is circuit performance degraded. The novel method employs fully depleted accumulated mode type transistors on a silicon-on-insulator substrate. Modified LDD fabrication techniques are employed.
机译:可以通过制造过程简单地使任何商用集成电路设计SEU硬化的一种制造方法。无需重新设计电路,也不会降低电路性能。该新颖方法在绝缘体上硅衬底上采用完全耗尽的累积模式型晶体管。采用了改进的LDD制造技术。

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