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FT-CCD STRUCTURE AND ITS MAKING METHOD

机译:FT-CCD结构及其制作方法

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机译:无信息。

著录项

  • 公开/公告号KR950007359B1

    专利类型

  • 公开/公告日1995-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG SEMICONDUCTOR CO. LTD.;

    申请/专利号KR19910023864

  • 发明设计人 JONG HON - JUN;UYASIJI;

    申请日1991-12-23

  • 分类号H01L29/796;H01L27/148;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 04:11:40

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