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Method of high yield manufacture of vlsi type integrated circuit devices by determining critical surface characteristics of mounting films

机译：通过确定安装膜的临界表面特性来高产量制造vlsi型集成电路器件的方法

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公开/公告号GB9423686D0

专利类型
公开/公告日1995-01-11

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申请/专利权人 AT&T CORP.;
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申请/专利号GB19940023686
发明设计人
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申请日1994-11-23
分类号G01B9/02;B24B37/04;G01B11/00;G01B11/24;G01B11/30;G03F7/20;H01L21/66;
国家 GB
入库时间 2022-08-22 04:06:21

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