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High intensity normal pressure sintering nitriding silicon sintering body and its production manner

机译:高强度常压烧结氮化硅烧结体及其生产方式

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号JP2505179B2

    专利类型

  • 公开/公告日1996-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NGK INSULATORS LTD;

    申请/专利号JP19860297756

  • 发明设计人 UKAI NORYUKI;HAYAKAWA KAZUMORI;

    申请日1986-12-16

  • 分类号C04B35/584;C04B35/626;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 03:56:11

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