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机译:半导体存储器件,包括具有n型沟道的mos场效应晶体管。
公开/公告号NL191768C
专利类型
公开/公告日1996-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED;
申请/专利号NL19780010929
发明设计人
申请日1978-11-02
分类号H01L27/108;H01L29/38;
国家 NL
入库时间 2022-08-22 03:53:31
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