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(Ti, Al) N plasma chemical vapor deposition method

机译:(Ti,Al)N等离子体化学气相沉积方法

摘要

The present invention relates to a method of depositing a (Ti, Al) N film using a plasma chemical vapor deposition process. (Ti, Al) N film is a new tool coating material which is made by adding Al element to existing TiN. And a technique of coating the material at a low temperature of around 500C by using a plasma chemical vapor deposition method which can be applied to a tool of mass production and a complicated shape.;TiCl4, AlCl3, N2, H2(Ar) N thin films were deposited using R.F. plasma at a reaction temperature of 400 to 500C and a deposition pressure of 0.5 to 5 Torr. The deposited (Ti, Al) N film showed a large increase in hardness of more than 2800 / at Al content of about 10% and showed excellent resistance to oxidation even in the air heat treatment up to 700C.
机译:本发明涉及使用等离子体化学气相沉积工艺沉积(Ti,Al)N膜的方法。 (Ti,Al)N膜是一种新型的工具涂层材料,它是通过在现有的TiN中添加Al元素制成的。并采用等离子化学气相沉积法在约500℃的低温下涂覆材料,该技术可应用于量产且形状复杂的工具。TiCl 4 ,AlCl < Sub> 3 ,N 2 ,H 2 (Ar)使用RF沉积N薄膜在400至500℃的反应温度和0.5至5托的沉积压力下形成等离子体。所沉积的(Ti,Al)N膜在Al含量约为10%时,硬度大大增加,超过2800 /,并且即使在最高700C的空气热处理中,也表现出优异的抗氧化性。

著录项

  • 公开/公告号KR960014386A

    专利类型

  • 公开/公告日1996-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 김광호;김종범;

    申请/专利号KR19940028444

  • 发明设计人 김광호;김종범;박희찬;이성호;

    申请日1994-10-28

  • 分类号C23C14/38;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:45:13

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