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Tantalum element for shrinkage stress compensation

机译:钽元素,用于收缩应力补偿

摘要

this design is for the tantalum element of stress in more detail, the capacitor's internal position and occurrence of shrinkage stress on the compensation structure of compensation with the stress on the tantalum element. the purpose of this research project are the external tantalum epoxy resin shrinkage phenomenon of a pressure compensation can have structure, the tantalum film to prevent damage to the structure of the stress compensation to provide the tantalum element. this design is to complete the above and the tantalum element, the element of tantalum wire is received in the above silicon can be formed to apply, is characteristic.
机译:此设计针对钽元件的应力进行了更详细的说明,电容器的内部位置和收缩应力的发生在补偿结构上随钽元件的应力而补偿。本研究项目的目的是通过外部钽环氧树脂收缩现象可以产生压力补偿结构,为防止钽膜破坏结构而提供的应力补偿钽元素。该设计是为了完成以上和钽元素,钽线元素被接收在上面的硅中可以形成应用,是有特色的。

著录项

  • 公开/公告号KR960025020U

    专利类型

  • 公开/公告日1996-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR19940034020U

  • 发明设计人

    申请日1994-12-14

  • 分类号

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:44:46

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