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CERAMIC DEPOSITING VESSEL HAVING IMPROVED STRENGTH AND ELECTRICAL PHYSICAL PROPERTYFOR ITS PRODUCTION

机译:陶瓷沉积容器的生产强度和电气物理性能得到改善

摘要

The invention provides a TiB2-BN-AIN type ceramics deposited vessel. Its formula is wTiB2-xBN-yAIN-zWC in which w, x, y and z are 0.6 to 0.7, 0.15 to 0.20, 0.08 to 0.17 and 0.03 to 0.15 (w+x+y+z=1). The characteristics of process for producing the vessel are mixing TiB2-BN-AIN type ceramics material with WC, a sintering additive and sintering the mixture at a temperature of 1800-1950 C under a pressure in nitrogen atmosphere
机译:本发明提供了TiB2-BN-AIN型陶瓷沉积容器。其公式为wTiB2-xBN-yAIN-zWC,其中w,x,y和z为0.6到0.7、0.15到0.20、0.08到0.17和0.03到0.15(w + x + y + z = 1)。该容器的制造方法的特征是将TiB2-BN-AIN型陶瓷材料与WC,烧结助剂混合,并在氮气氛下于1800〜1950℃的温度下进行烧结。

著录项

  • 公开/公告号KR970010354B1

    专利类型

  • 公开/公告日1997-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KIST;

    申请/专利号KR19950003400

  • 发明设计人 HAN KYUNG-SUB;BAE DONG-SIK;JUNG MOO-SOO;

    申请日1995-02-22

  • 分类号C04B35/56;C04B35/58;C04B35/583;C04B35/581;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:18:10

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