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OPTIMIZATION OF SiO2, FILM CONFORMALITY IN ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

机译:大气压力化学气相沉积中SiO2,膜共形的优化

摘要

A chemical vapor deposition apparatus and method for forming an oxide thin film on a surface of a substrate. The system includes a reaction chamber having a support for holding a substrate and an injector positioned to inject gaseous substances into the reaction chamber. The injector includes a central injection port coupled to a source of ozone and at least two outer injection ports positioned on opposite sides of the central injection port and coupled to a source of chemical reagent. Ozone and chemical reagent are separately injected into the reaction chamber through the central injection port and outer injection ports, respectively, with the ozone and chemical mixing in the area between the injector and the substrate.
机译:用于在基板的表面上形成氧化物薄膜的化学气相沉积设备和方法。该系统包括反应室,该反应室具有用于保持基材的支撑体和被定位成将气态物质注入反应室中的喷射器。该注射器包括中央注入口,该中央注入口连接到臭氧源;以及至少两个外部注入口,该至少两个外部注入口位于该中央注入口的相对侧上并且连接到化学试剂源。臭氧和化学试剂分别通过中央注入口和外部注入口分别注入反应室,在注入器和底物之间的区域中进行臭氧和化学混合。

著录项

  • 公开/公告号WO9836106A1

    专利类型

  • 公开/公告日1998-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEMICONDUCTOR EQUIPMENT GROUP LLC;

    申请/专利号WO1998US02842

  • 发明设计人 YUAN ZHENG;

    申请日1998-02-17

  • 分类号C23C16/44;C23C16/40;H01L21/316;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-22 02:51:21

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