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Fabrication of VLSI Capacitors and High Quality Factor VLSI Inductors Using Metal Charge Via Plugs

机译:使用通过插头的金属电荷制造VLSI电容器和高品质因数VLSI电感器

摘要

A method of manufacturing an inductor and a capacitor consisting of charging a via of a dielectric with a metal plug disposed between two metal layers is disclosed. The plug consists of tungsten, aluminum or copper and extends the length of the metal layer. The plug connects two metal layers to form an inductor. Two plugs may be formed to connect two metal layers to form a parallel plate capacitor.
机译:公开了一种制造电感器和电容器的方法,该方法包括利用设置在两个金属层之间的金属插头对电介质的通孔进行充电。插头由钨,铝或铜组成,并延伸了金属层的长度。插头连接两个金属层以形成电感器。可以形成两个插头以连接两个金属层以形成平行板电容器。

著录项

  • 公开/公告号KR19980032338A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 클라크 3세존엠;

    申请/专利号KR19970043168

  • 发明设计人 자오 지;텡 치 시에;

    申请日1997-08-29

  • 分类号H01L27/108;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 02:48:20

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