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Piezoresistive silicon pressure sensor manufacture implementing long diaphragms with large aspect ratios

机译:压阻式硅压力传感器制造商,实现了具有大长宽比的长膜片

摘要

A form pressure sensor diaphragm and method of making that allows for formation of long rectangular plate structures in semiconducting materials, especially silicon. A plurality or multiplicity of sensors may be constructed on a single chip, thus providing for absolute and relative sensing of pressure on a single device.
机译:一种压力传感器膜片及其制造方法,允许在半导体材料(尤其是硅)中形成长矩形板结构。可以在单个芯片上构造多个或多个传感器,从而提供对单个设备上的压力的绝对和相对感测。

著录项

  • 公开/公告号US5714690A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INC.;

    申请/专利号US19960696020

  • 发明设计人 MAX C. GLENN;DAVID W. BURNS;

    申请日1996-08-09

  • 分类号G01L9/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:40:15

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