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Exposure method using reference marks on both the mask and the substrate and capable of providing high alignment precision even after multiple exposures

机译:使用掩模和基板上的参考标记的曝光方法,即使在多次曝光后也能够提供高对准精度

摘要

Alignment between a mask and a photosensitive substrate is performed using a first reference mark formed on the mask and a second reference mark formed on the photosensitive substrate. After that, the mask and the photosensitive substrate are relatively moved, so that an image of one of a light-shielding pattern and a light-transmitting pattern formed at a position different from the first reference mark on the mask is formed on the second reference mark on the photosensitive substrate. Then, a circuit pattern formed on the mask is transferred onto the photosensitive substrate, and a partial region including the second reference mark is exposed with the image of one of the light- shielding pattern and the light-transmitting pattern.
机译:使用形成在掩模上的第一参考标记和形成在感光衬底上的第二参考标记执行掩模和感光衬底之间的对准。之后,使掩模和感光基板相对移动,从而在第二参考上形成在与掩模上的第一参考标记不同的位置处形成的遮光图案和透光图案之一的图像。在感光基板上标记。然后,在掩模上形成的电路图案被转印到感光基板上,并且包括第二参考标记的部分区域被遮光图案和透光图案之一的图像曝光。

著录项

  • 公开/公告号US5793472A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIKON CORPORATION;

    申请/专利号US19970940287

  • 发明设计人 SEIJI MIYAZAKI;KAZUHIKO HORI;KEI NARA;

    申请日1997-09-30

  • 分类号H01L21/27;G03F7/20;G03F9/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:38:52

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