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Structure and method for SDRAM dynamic self refresh entry and exit using JTAG

机译:使用jtag的sDRAM动态自刷新进入和退出的结构和方法

摘要

JTAG test logic and a memory controller place an SDRAM in a self refresh mode prior to beginning JTAG testing. The memory controller can complete a current memory access and otherwise prepare for the JTAG test. During the JTAG test, self refresh mode operation of the SDRAM retains data without the need for a clock signal or refresh signals which are suspended for the JTAG test. Accordingly, after the JTAG test, circuit operation can continue without reinitializing data in the SDRAM.
机译:在开始JTAG测试之前,JTAG测试逻辑和存储器控制器会将SDRAM置于自刷新模式。存储器控制器可以完成当前的存储器访问,否则可以准备进行JTAG测试。在JTAG测试期间,SDRAM的自刷新模式操作可保留数据,而无需为JTAG测试而挂起的时钟信号或刷新信号。因此,在JTAG测试之后,电路操作可以继续,而无需重新初始化SDRAM中的数据。

著录项

  • 公开/公告号US5793776A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号US19960733817

  • 发明设计人 SANGHYEON BAEG;AMJAD QURESHI;

    申请日1996-10-18

  • 分类号G01R31/28;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:38:50

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