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STRUCTURE AND METHOD FOR SDRAM DYNAMIC SELF REFRESH ENTRY AND EXIT USING JTAG

机译:使用jtag的sDRAM动态自刷新进入和退出的结构和方法

摘要

The JTAG test logic and memory controller put the SDRAM in self-refresh mode before starting JTAG testing. The memory controller can complete the current memory access or prepare for a JTAG test. During the JTAG test, the SDRAM's self refresh mode maintains data without the need for a clock signal or a refresh signal that is suspended during the JTAG test. Thus, after the JTAG test, the circuit operation can continue without reinitializing the data in the SDRAM.
机译:在开始JTAG测试之前,JTAG测试逻辑和存储器控制器将SDRAM置于自刷新模式。存储器控制器可以完成当前的存储器访问或为JTAG测试做准备。在JTAG测试期间,SDRAM的自刷新模式可保持数据,而无需在JTAG测试期间挂起的时钟信号或刷新信号。因此,在JTAG测试之后,电路操作可以继续而无需重新初始化SDRAM中的数据。

著录项

  • 公开/公告号KR100241058B1

    专利类型

  • 公开/公告日2000-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD.;

    申请/专利号KR19970023455

  • 发明设计人 암자드 쿼레시;상훈백;

    申请日1997-06-05

  • 分类号G11C27/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:45:04

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