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Crystal and the production manner and laser device null for solid state laser

机译:固态激光器的晶体及其生产方法和激光器装置

摘要

The present invention provides a Yb-doped crystal for a solid state laser, wherein a main active element of the Yb-doped crystal comprises Yb3+. The Yb-doped crystal for a solid state laser is prepared by increasing a ratio of Yb3+ to Yb2+ in a Yb-doped material by a heat treatment to the Yb-doped material in an oxidizing atmosphere, and carrying out a crystal growth of the Yb-doped material.
机译:本发明提供一种用于固态激光器的掺Yb晶体,其中所述掺Yb晶体的主要活性元素包括Yb3 +。用于固态激光器的掺Yb的晶体是通过在氧化气氛中通过对掺Yb的材料进行热处理而增加掺Yb的材料中的Yb3 +与Yb2 +的比例,并进行Yb的晶体生长来制备的。掺杂材料。

著录项

  • 公开/公告号JP2882351B2

    专利类型

  • 公开/公告日1999-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIPPON DENKI KK;

    申请/专利号JP19960095413

  • 发明设计人 KUWANO YASUHIKO;

    申请日1996-04-17

  • 分类号C30B29/10;G01J3/42;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 02:29:59

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