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TANTALUM AND NIOBIUM REAGENTS USEFUL IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSES, AND PROCESS FOR DEPOSITING COATINGS USING THE SAME

机译:化学蒸气沉积过程中常用的钽和铌增晶剂,以及使用相同方法沉积涂层的方法

摘要

Niobium and tantalum compounds suitable for use as chemical vapor deposition source reagents, and a process for depositing niobium- or tantalum-containing coatings using the compounds. The compounds have formulaM(OR1)x(R2-C(GH)-C-C(G)-R3)ywherein M is tantalum or niobium; G is oxygen or sulfur; and R1, R2, and R3 are independently selected hydrocarbyl, fluoroalkyl or alkoxy groups.
机译:适于用作化学气相沉积源试剂的铌和钽化合物,以及使用该化合物沉积含铌或钽的涂层的方法。该化合物的分子式为M(OR1)x(R2-C(GH)-C-C(G)-R3),其中M为钽或铌; G是氧或硫; R1,R2和R3独立地为烃基,氟代烷基或烷氧基。

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