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in standard cmos technology is realized between a low voltage and a logikschaltung output stage with high voltage, the circuit

机译:在标准cmos技术中,是在低压和具有高压的logikschaltung输出级之间实现的,电路

摘要

PCT No. PCT/CH93/00124 Sec. 371 Date Jan. 14, 1994 Sec. 102(e) Date Jan. 14, 1994 PCT Filed May 18, 1993 PCT Pub. No. WO93/23926 PCT Pub. Date Nov. 25, 1993.The present invention relates to an intermediary circuit between a low voltage logic circuit and a high voltage output stage in standard CMOS technology. The output stage (20) is comprised of two transistors, respectively with N channel and P channel, achieved according to a standard CMOS technology. The intermediary circuit is comprised of a voltage level translator (21) coupled between an input logic circuit SL and said output stage (20). The voltage level translator (21) is achieved according to a standard CMOS technology and is comprised of at lest two similar base blocks forming voltage mirrors interconnected in a cross-configuration. Said circuit is used to control transducers, plasma screens and electromechanical actuators.
机译:PCT号PCT / CH93 / 00124秒371日期1994年1月14日102(e)日期,1994年1月14日,PCT,1993年5月18日提交,PCT Pub。 WO93 / 23926 PCT公开号日期为1993年11月25日。本发明涉及标准CMOS技术中的低压逻辑电路和高压输出级之间的中间电路。输出级(20)由根据标准CMOS技术实现的分别具有N沟道和P沟道的两个晶体管组成。中间电路包括耦合在输入逻辑电路SL和所述输出级(20)之间的电压电平转换器(21)。电压电平转换器(21)是根据标准CMOS技术实现的,并且至少包括两个以交叉配置互连的,形成电压镜的相似基块。所述电路用于控制换能器,等离子屏和机电致动器。

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