首页> 外国专利> ECL to CMOS level translator using delayed feedback for high speed BICMOS applications

ECL to CMOS level translator using delayed feedback for high speed BICMOS applications

机译:使用延迟反馈的ECL至CMOS电平转换器,用于高速BICMOS应用

摘要

A voltage level translator for converting a small-signal differential ECL input signal into a full rail, single-ended CMOS output signal, wherein the difference in current generated by a pair of P- channel transistors as a result in a transitioning of the ECL signal is "mirrored" by a pair of N-channel output transistors, causing the CMOS output voltage to transition, the delay in transitioning of the output transistors being minimized through the use of delayed feedback.
机译:电压电平转换器,用于将小信号差分ECL输入信号转换为全轨单端CMOS输出信号,其中,一对P沟道晶体管产生的电流差会导致ECL信号跃迁通过一对N沟道输出晶体管“镜像”,从而使CMOS输出电压跃迁,通过使用延迟反馈使输出晶体管跃迁的延迟最小化。

著录项

  • 公开/公告号US5933024A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US19970990883

  • 发明设计人 HANK H. LIM;

    申请日1997-12-16

  • 分类号H03K19/0185;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:07:39

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号