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机译：用于非易失性存储单元并行编程的电路，具有可调的编程速度。
公开/公告号IT1303201B1
专利类型
公开/公告日2000-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 STMICROELECTRONICS S.R.L.;
申请/专利号IT1998TO00990
发明设计人 CANEGALLO ROBERTO;ROLANDI PIER LUIGI;PASOTTI MARCO;GUAITINI GIOVANNI;
申请日1998-11-24
分类号
国家 IT
入库时间 2022-08-22 01:54:27
机译： 用于非易失性存储单元并行编程的电路，具有可调的编程速度。
机译： 用于并行编程非易失性存储单元的电路，具有可调的编程速度
机译： 非易失性存储器件，非易失性存储单元和多个晶体管，以及调整非衰减存储单元的阈值的方法（非易失性存储器件，非易失性存储单元和非易失性存储单元，挥发性存储器细胞和每个复数晶体管）
