用于具有提高编程效率的非易失性存储单元的方法和装置

摘要

本发明提供了用于具有提高编程效率的非易失性存储单元的方法和装置。公开了一种装置，包括在形成半导体衬底上方的浮置栅极的一部分上方所形成的控制栅极。控制栅极包括紧邻半导体衬底中的源极区的源极侧的侧壁间隔件和漏极侧的侧壁间隔件，浮置栅极具有紧邻源极区的未被控制栅极覆盖的上表面部分，位于源极侧的侧壁间隔件和浮置栅极紧邻源极区的上表面上方的聚合物间电介质；以及形成在源极区上方、覆盖聚合物间电介质并且紧邻控制栅极的源极侧的侧壁的擦除栅极，擦除栅极覆盖浮置栅极紧邻源极区的上表面至少一部分。提供了形成装置的方法。