首页> 外国专利> Dense SOI programmable logic array structure

Dense SOI programmable logic array structure

机译:密集SOI可编程逻辑阵列结构

摘要

A semiconductor device array having silicon device islands isolated from the substrate by an insulator. High array density is achieved by forming source and drain interconnects in the space between the islands. Also disclosed are processes for forming and programming such arrays.
机译:一种半导体器件阵列,具有通过绝缘体与衬底隔离的硅器件岛。通过在岛之间的空间中形成源极和漏极互连来实现高阵列密度。还公开了用于形成和编程这种阵列的过程。

著录项

  • 公开/公告号US6046477A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-04-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US19980042795

  • 发明设计人 WENDELL P. NOBLE;

    申请日1998-03-17

  • 分类号H01L27/01;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:37:26

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号