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Quantum well infrared photocathode having negative electron affinity surface

机译:具有负电子亲和力表面的量子阱红外光电阴极

摘要

An infrared photocathode comprises an infrared radiation absorbing structure based on multiple quantum well (MQW) material on top of an electron conducting contact layer having a negative electron affinity back surface. In the first photocathode, a top contact layer is etched to form a transmissive diffraction grating to aid photon absorption in the MQW material. In the second photocathode, a plurality of spaced apart MQW structures form a diffraction grating which aids photon absorption in the MQW material.
机译:红外光电阴极在具有负电子亲和力背面的电子导电接触层的顶部包括基于多量子阱(MQW)材料的红外辐射吸收结构。在第一光电阴极中,蚀刻顶部接触层以形成透射衍射光栅,以帮助MQW材料吸收光子。在第二光电阴极中,多个隔开的MQW结构形成衍射光栅,该衍射光栅有助于MQW材料中的光子吸收。

著录项

  • 公开/公告号US6054718A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-04-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LOCKHEED MARTIN CORPORATION;

    申请/专利号US19980052096

  • 发明设计人 MARK A. DODD;LEWIS T. CLAIBORNE;

    申请日1998-03-31

  • 分类号H01L29/06;H01L29/12;H01L31/0232;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:37:20

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