一种AlGaN/GaN量子阱近红外-紫外双色探测光电阴极及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极及其制备工艺。包括衬底，缓冲层外延在衬底上，P型下帽层制作在缓冲层上，P型势阱层制作在P型下帽层上，多量子阱层制作在P型势阱层上，P型上帽层制作在多量子阱层上，P型发射层制作在P型上帽层上，其中多量子阱层由I型势垒层、I型势阱层组成，多量子阱层为20周期，其结构是通过MOCVD进行制备。本发明可以同时探测紫外和近红外双波段，同时具有“日盲”的特性；可以通过调节不同的外延层组分或者势阱层厚度来选择不同的探测波段；与此同时有较快的时间响应，灵敏度高，量子效率高，且有较好的波段选择性，可探测微弱信号，探测成本低等。