首先将第二种氧化物转化为另一种材料,例如氮氧化物。另一种材料具有不同的特性,例如蚀刻特性,因此可以在基本上不减少第一氧化物的情况下将其去除。可以通过加热来完成转化。加热可以通过快速热处理或炉子处理来完成。随后,例如通过热磷蚀刻从集成电路中去除另一种材料,从而基本上不影响期望的第一氧化物。
公开/公告号US6096660A
专利类型
公开/公告日2000-08-01
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号US19970915874
申请日1997-08-21
分类号H01L21/31;H01L21/76;
国家 US
入库时间 2022-08-22 01:36:33