机译:通过电沉积工艺或化学沉积工艺形成氧化铟膜的方法,设置有用于半导体元件的氧化铟膜的基板以及设置有该基板的半导体元件
公开/公告号US6110347A
专利类型
公开/公告日2000-08-29
原文格式PDF
申请/专利权人 CANON KABUSHIKI KASHIA;
申请/专利号US19980172774
申请日1998-10-15
分类号C25D9/00;C25D9/04;C25D9/10;B05D1/18;
国家 US
入库时间 2022-08-22 01:36:19