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SEED CRYSTAL FOR GROWING MONOCRYSTALS, USE OF THE SEED CRYSTAL AND PROCESS FOR PRODUCING SiC MONOCRYSTALS OR MONOCRYSTALLINE SiC LAYERS

机译:用于单晶生长的种子晶体,种子晶体的使用以及生产SiC单晶或单晶SiC层的过程

摘要

A seed crystal assembly for producing monocrystals and a method for producing SiC monocrystals or monocrystalline SiC layers include a seed crystal with a surface having a first partial region intended as a crystallization surface for a monocrystal grown out of a gas phase and a second partial region with a coating that is chemically resistant to the seed crystal and to the gas phase and does not melt at the growth temperatures. As a result, thermal degradation of the seed crystal is avoided and the quality of the monocrystals which are produced is increased.
机译:用于生产单晶的籽晶组件和用于生产SiC单晶或单晶SiC层的方法包括:籽晶,其表面具有第一部分区域,该第一部分区域用作气相生长的单晶的结晶表面;第二部分区域具有气相生长的单晶。对籽晶和气相具有化学耐受性且在生长温度下不会熔化的涂层。结果,避免了晶种的热降解,并且提高了所产生的单晶的质量。

著录项

  • 公开/公告号EP0845055B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-09-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号EP19960920724

  • 发明设计人 VOELKL JOHANNES;STEIN RENE;

    申请日1996-06-27

  • 分类号C30B25/18;C30B25/02;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 01:16:49

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