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Li WANG Xiaobu HU Xiangang XU Shouzheng JIANG Lina NING Minhua JIANG;
State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
高纯度; 碳化硅粉末; 合成; 高电阻率; 碳化硅单晶; 晶体生长; 活性炭;
机译:<![CDATA [CDATA [SPS SYN挂钩SIC基陶瓷的制造与表征来自Y 3 CE:INF>和 2 CE:INF> C» CE:INF PLACE =“POST”> 2 CE:INF> -CAFT SIC POWDERS]]>
机译:用1型糖尿病(SiC)1(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)( SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC) (SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)
机译:否–二氧化碳CO_2 –碳化硅MOSFET – – CO _2 _2 _2 _2 _2 _2 _2 SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC SiC Š
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:氧化损伤对使用国内高尼克隆型SiC纤维的SiC / SiC复合材料力学性能的影响
机译:siC / siC复合材料的辐射效应和微观力学(1990年12月1日 - 1993年11月14日)和siC / siC复合材料在聚变环境中的力学行为模拟(1993年11月15日 - 1996年11月14日)。最终报告,1990年12月1日 - 1996年11月14日
机译:用于制造用于单晶生长的高强度SiC Powder Compact的SiC SIC方法
机译:用于单晶生长的SiC Powder Compact制造SiC SIC方法
机译:SiC籽晶及其生产方法,通过生长所述SiC籽晶而生产的SiC锭及其生产方法,以及由所述SiC锭和具有外延膜的SiC晶片生产的SiC晶片,以及分别用于生产所述SiC晶片和具有外延膜的SiC晶片的方法
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