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Method of making ferroelectric thin film, ferroelectric capacitor, ferroelectric memory and method for fabricating ferroelectric memory

机译:铁电薄膜的制造方法,铁电电容器,铁电存储器及铁电存储器的制造方法

摘要

A method of making a ferroelectric thin film includes the step of forming a ferroelectric thin film with a randomly oriented layered structure on a surface of a conductor layer. At least the surface of the conductor layer has a spherical crystal structure.
机译:制备铁电薄膜的方法包括在导体层的表面上形成具有无规取向的层状结构的铁电薄膜的步骤。导体层的至少表面具有球状的晶体结构。

著录项

  • 公开/公告号EP1077478A2

    专利类型

  • 公开/公告日2001-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATSUSHITA ELECTRONICS CORPORATION;

    申请/专利号EP20000117649

  • 发明设计人 NASU TORU;HAYASHI SHINICHIRO;

    申请日2000-08-16

  • 分类号H01L21/316;H01L27/115;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 01:16:05

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