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DRAM INCORPORATING SELF REFRESH CONTROL CIRCUIT AND SYSTEM LSI INCLUDING THE DRAM

机译:包含自刷新控制电路的DRAM和包含DRAM的系统LSI

摘要

There is a problem that an appropriate refresh cycle cannot be arbitrarily set and power consumption cannot be reduced.;Self-refresh control circuits 7 and 71 for inputting a control signal for arbitrarily specifying the self-refresh cycle, setting the period of the self-refresh address, and outputting a self-cycle signal, and a self-cycle signal. A self refresh control circuit having a row address buffer 8 for outputting an address to a memory cell array with a trigger is provided.
机译:存在以下问题:不能任意设置适当的刷新周期,并且不能降低功耗。自刷新控制电路7和71用于输入用于任意指定自刷新周期,设置自刷新周期的控制信号。刷新地址,并输出自周期信号和自周期信号。提供了一种具有行地址缓冲器8的自刷新控制电路,该行地址缓冲器8用于通过触发器将地址输出到存储单元阵列。

著录项

  • 公开/公告号KR100301074B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 미쓰비시덴키 가부시키가이샤;

    申请/专利号KR19980052201

  • 发明设计人 다쯔미 다까시;

    申请日1998-12-01

  • 分类号H01L27/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:12:07

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