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Electric load control circuit uses n-channel MOSFET protected by Zener diode connected across its switched current path and diode between its gate and earth

机译:电子负载控制电路使用由齐纳二极管保护的n沟道MOSFET,齐纳二极管跨接在其开关电流路径上,并且其栅极与地之间的二极管

摘要

The load control circuit (10) uses a n-channel MOSFET (Tr0) acting as a high-side switch for supplying the current to the electric load (4), with a Zener diode (ZD1) between the drain and source of the MOSFET and a diode (D1) connected between the gate of the MOSFET and earth.
机译:负载控制电路(10)使用一个n沟道MOSFET(Tr0)作为高侧开关,用于向电负载(4)提供电流,并且在MOSFET的漏极和源极之间具有一个齐纳二极管(ZD1)二极管(D1)连接在MOSFET的栅极和地之间。

著录项

  • 公开/公告号DE10046668A1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DENSO CORP. KARIYA;

    申请/专利号DE2000146668

  • 发明设计人 NAGATA JUNICHI;KITAGAWA MASAHIRO;

    申请日2000-09-20

  • 分类号H03K17/08;H03K17/56;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 01:09:43

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