首页> 外国专利> Gate insulating layer having diamond-like carbon and thin film transistor employing the same and process for manufacturing gate insulating layer

Gate insulating layer having diamond-like carbon and thin film transistor employing the same and process for manufacturing gate insulating layer

机译:具有类金刚石碳的栅绝缘层和采用该栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法

摘要

机译:

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号