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Amorphous silicon-based thin film photovoltaic device

机译:非晶硅基薄膜光伏器件

摘要

An amorphous silicon-based thin film photovoltaic device having a glass substrate and a laminate structure formed on the glass substrate and consisting of a transparent electrode, a semiconductor layer containing an amorphous silicon-based semiconductor and a back electrode, in which the glass substrate has a transmittance of 88 to 90% for light having a wavelength of 700 nm and 84 to 87% for light having a wavelength of 800 nm.
机译:一种具有玻璃基板和形成在玻璃基板上的层压结构的非晶硅基薄膜光伏器件,该层压结构由透明电极,包含非晶硅基半导体的半导体层和背面电极组成,其中玻璃基板具有波长为700 nm的光的透射率为88%至90%,波长为800 nm的光的透射率为84至87%。

著录项

  • 公开/公告号US6252157B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KANEKA CORPORATION;

    申请/专利号US20000524842

  • 发明设计人 HITOSHI NISHIO;

    申请日2000-03-14

  • 分类号H01L310/376;H01L310/216;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:04:00

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