首页> 外国专利> Method of setting a base energy level for an Auger electron spectroscopy analysis of a titanium nitride film, and method of analyzing the titanium nitride film

Method of setting a base energy level for an Auger electron spectroscopy analysis of a titanium nitride film, and method of analyzing the titanium nitride film

机译:设置用于氮化钛膜的俄歇电子能谱分析的基本能级的方法以及分析氮化钛膜的方法

摘要

A quantitative and qualitative analysis of a nitrogen (N) kinetic energy peak in a spectrum of a titanium nitride (TiN) film using Auger Electron Spectroscopy (AES). The N kinetic energy peak analysis is used to set the base energy level of the AES, and is achieved by selecting a kinetic energy of an N peak which does not overlap with the Ti kinetic energy peak.
机译:使用俄歇电子能谱(AES)对氮化钛(TiN)膜的光谱中的氮(N)动能峰进行定量和定性分析。 N动能峰分析用于设置AES的基本能级,并且通过选择不与Ti动能峰重叠的N峰的动能来实现。

著录项

  • 公开/公告号US6278112B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号US19980221829

  • 发明设计人 SANG-EUN LEE;

    申请日1998-12-28

  • 分类号H01J400/00;H01J470/00;G01N230/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:03:33

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号