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氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置

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摘要

本发明提供氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置。在氮化钛膜的形成方法中，首先，利用升温用加热器将收容有半导体晶圆的反应管内加热到200℃～350℃。接着，向反应管内供给含有钛原料的成膜用气体而在半导体晶圆上形成氮化钛膜。该钛原料采用不含有氯原子而含有钛的甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-12-07

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/285 申请公布日:20120905 申请日:20120228

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-09-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20120228

实质审查的生效
2012-09-05

公开

公开

1. 氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置 [P] . 中国专利： CN102655085A . 2012-09-05
2. 用于28纳米及以下技术节点的接触孔结构中氮化钛膜的形成方法 [P] . 中国专利： CN109994424A . 2019-07-09
3. METHOD OF FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, APPARATUS FOR FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, AND STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM [P] . 韩国专利： KR20150035941A . 2015-04-07

机译：氮化钛膜的形成方法，氮化钛膜的形成装置以及存储介质存储程序
4. METHOD OF FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, APPARATUS FOR FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, AND PROGRAM [P] . 美国专利： US2012219710A1 . 2012-08-30

机译：氮化钛膜的形成方法，氮化钛膜的形成装置以及程序
5. METHOD OF FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, APPARATUS FOR FORMING TITANIUM NITRIDE FILM, AND PROGRAM [P] . 日本专利： JP2012193445A . 2012-10-11

机译：氮化钛膜的形成方法，氮化钛膜的形成装置以及程序