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METHOD OF PREPARING ANATASE-TYPE TIO2 SINGLE CRYSTAL THIN FILM

机译:制备锐钛型TiO 2单晶薄膜的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of preparing anatase-type TiO2 single crystal having characteristics such as improved efficiency of photocatalytic reaction through the enhancement of crystallinity. SOLUTION: This method utilizes laser vapor deposition onto a plain single crystal substrate such as SrTiO3 under low pressure oxygen atmosphere (10 mTorr to 100 mTorr) to form an anatase-type TiO2 single crystal thin film having controlled thickness in the range of 10 nm to 2 μm, wherein the temperature of the substrate is controlled in the range of 350 to 600 deg.C, and the pressure of oxygen is controlled in the range of 10 mTorr to 100 mTorr.
机译:解决的问题:提供一种制备锐钛矿型TiO 2单晶的方法,该单晶具有通过提高结晶度而提高光催化反应效率的特性。解决方案:该方法利用激光气相沉积在低压氧气气氛下(10 mTorr至100 mTorr)到普通的单晶衬底上,例如SrTiO3,以形成厚度控制在10 nm至100 nm范围内的锐钛矿型TiO2单晶薄膜。 2μm,其中将衬底的温度控制在350至600℃的范围内,并将氧气压力控制在10mTorr至100mTorr的范围内。

著录项

  • 公开/公告号JP2001342022A

    专利类型

  • 公开/公告日2001-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JAPAN ATOM ENERGY RES INST;

    申请/专利号JP20000161743

  • 发明设计人 MIYASHITA ATSUMI;YAMAMOTO HARUYA;

    申请日2000-05-31

  • 分类号C01G23/07;B01D53/86;B01D53/94;B01J21/06;B01J32/00;B01J35/02;B01J37/02;C23C14/08;C30B23/08;C30B29/16;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:57:00

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