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Ion implantation system having increased implanter source life

机译:离子注入系统,具有更长的注入源寿命

摘要

An arc chamber of an ion implanter system comprising an electron emissive source extending into the arc chamber through a wall of electrically insulating material.
机译:离子注入系统的电弧室,包括通过电绝缘材料的壁延伸到电弧室中的电子发射源。

著录项

  • 公开/公告号US2002069824A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DANGELO NELSON A.;

    申请/专利号US20000733333

  • 发明设计人 NELSON A. DANGELO;

    申请日2000-12-08

  • 分类号C23C16/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:52:54

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