首页> 外国专利> Highly spin-polarized chromium dioxide thin films prepared by CVD using chromyl chloride precursor

Highly spin-polarized chromium dioxide thin films prepared by CVD using chromyl chloride precursor

机译:使用氯化铬前体通过CVD制备的高度自旋极化的二氧化铬薄膜

摘要

An efficient and controllable CVD method deposits a high quality epitaxial CrO2 thin film over a non-magnetic substrate in a process chamber by chemical vapor deposition using a volatile liquid chromium compound such as CrO2Cl2 as a precursor. The method includes: selecting a volatile liquid chromium oxide precursor that decomposes in a heated process chamber to provide a chromium oxide layer on a substrate, placing the volatile liquid chromium oxide precursor in a first bubbler, transporting the volatile liquid chromium oxide precursor vapor with a carrier gas into the heated process chamber having the substrate therein, and growing the chromium oxide layer at a controlled growth rate on the substrate in the heated process chamber.
机译:一种有效且可控的CVD方法,使用诸如CrO 2 <的挥发性液态铬化合物通过化学气相沉积法在处理室中的非磁性衬底上沉积高质量的外延CrO 2 薄膜。 / Sub> Cl 2 作为前体。该方法包括:选择在加热的处理室中分解的挥发性液态氧化铬前体,以在基板上提供氧化铬层,将所述挥发性液态氧化铬前体置于第一鼓泡器中,用载气进入其中具有衬底的加热的处理室中,并在加热的处理室中以受控的生长速率生长氧化铬层。

著录项

  • 公开/公告号US2002155217A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DESITO WILLIAM J.;

    申请/专利号US20010839149

  • 发明设计人 WILLIAM J. DESITO;

    申请日2001-04-23

  • 分类号C23C16/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:52:15

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号