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Low power SOI ESD buffer driver networks having dynamic threshold MOSFETS

机译:具有动态阈值MOSFET的低功耗SOI ESD缓冲器驱动器网络

摘要

A method and structure for a body coupled driver circuit includes a pull-up stage having a first transistor and a pull-down stage having a second transistor. The first transistor and the second transistor have bodies coupled to either a reference voltage or a pad node.
机译:用于体耦合驱动器电路的方法和结构包括具有第一晶体管的上拉级和具有第二晶体管的下拉级。第一晶体管和第二晶体管具有耦合至参考电压或焊盘节点的主体。

著录项

  • 公开/公告号US6404269B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;

    申请/专利号US19990398594

  • 发明设计人 STEVEN H. VOLDMAN;

    申请日1999-09-17

  • 分类号H03K30/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:49:01

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