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Semiconductor memory device requiring performance of plurality of tests for each of plurality of memory circuits and method for testing the same

机译:要求对多个存储电路中的每一个进行多次测试的半导体存储器件及其测试方法

摘要

A test pattern generation circuit for generating a test pattern for a disturb test is provided in an SDRAM. A test pattern generated in the test pattern generation circuit is supplied to a circuit relating to a selected bank and a test pattern is supplied from a tester to a circuit relating to other bank. As more than one test can be simultaneously performed, test time can be reduced.
机译:在SDRAM中提供了用于生成用于干扰测试的测试图案的测试图案生成电路。在测试图案生成电路中生成的测试图案被提供给与所选择的存储体有关的电路,并且测试图案从测试仪被提供给与其他存储体有关的电路。由于可以同时执行多个测试,因此可以减少测试时间。

著录项

  • 公开/公告号US6415399B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA;

    申请/专利号US19990360639

  • 发明设计人 SHIGERU YAMAOKA;

    申请日1999-07-26

  • 分类号G11C290/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:47:12

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