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Electronic Thermal Neutron Dosimetry using pMOSFET and Gadolinium as Detector

机译:使用pMOSFET和Ga作为检测器的电子热中子剂量测定法

摘要

The present invention relates to a real-time electronic thermal neutron dosimeter using a thermal neutron detection device composed of pMOSFET and Gd (Gadolinium), and its object is to provide a compact electronic dosimeter that can detect thermal neutrons in real time.;The structure of the present invention is a dosimeter for detecting a thermal neutron, comprising: a pMOSFET assembly (4) equipped with a pMOSFET chip (p-type metal oxide semiconductor field effect transistor) 3 as an oxide layer, and an upper portion of the pMOSFET chip 3; A real-time electronic thermal neutron dosimeter using a pMOSFET and a gadolinium (Gd) thermal neutron detection device, characterized in that the pMOSFET protection cap (1) is coated with a gadolinium (Gd, 2) layer as a nuclear reaction film. It is made the point of devise.
机译:本发明涉及一种使用由pMOSFET和Gd(G)构成的热中子检测装置的实时电子热中子剂量计,其目的是提供一种可以实时检测热中子的紧凑型电子剂量计。本发明的一种用于检测热中子的剂量计,包括:pMOSFET组件(4),其装配有作为氧化物层的pMOSFET芯片(p型金属氧化物半导体场效应晶体管)3,以及pMOSFET的上部筹码3;一种使用pMOSFET和a(Gd)热中子检测装置的实时电子热中子剂量计,其特征在于,pMOSFET保护帽(1)涂有as(Gd,2)层作为核反应膜。这是设计的重点。

著录项

  • 公开/公告号KR200268397Y1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한국원자력연구소;

    申请/专利号KR20010037823U

  • 发明设计人 이남호;김승호;박일진;

    申请日2001-12-07

  • 分类号G01T1/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 00:28:55

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