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Porous structure production used for sieve or filter comprise anodizing silicon substrate to form porous silicon layer

机译:用于筛子或过滤器的多孔结构生产包括阳极氧化硅基板以形成多孔硅层

摘要

Production of a porous structure comprises anodizing a silicon substrate (1) to form a porous silicon layer (2). An Independent claim is also included for the porous structure produced. Preferred Features: The substrate is anodized using an aqueous HF solution and applying a voltage between the substrate and an electrode or between two electrodes. The substrate is provided with a structured mask before being anodized, preferably in the edge region of the substrate.
机译:多孔结构的生产包括阳极氧化硅衬底(1)以形成多孔硅层(2)。对于所生产的多孔结构也包括独立权利要求。优选特征:使用HF水溶液对基板进行阳极氧化,并在基板和电极之间或两个电极之间施加电压。在阳极氧化之前,优选在衬底的边缘区域中,衬底具有结构化的掩模。

著录项

  • 公开/公告号DE10055872A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ROBERT BOSCH GMBH;

    申请/专利号DE2000155872

  • 申请日2000-11-10

  • 分类号B81C1/00;H01L21/3063;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 00:27:19

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