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Logic circuit device uses magnetoresistive element with further magnetic layer providing magnetic offset field affecting magnetization of soft magnetic layer

机译:逻辑电路设备使用磁阻元件和另外的磁性层,该磁性层提供影响软磁层磁化的磁偏置场

摘要

The logic circuit device (1) has at least one magnetoresistive element (2) with hard magnetic and soft magnetic layers and an associated conductor (3) with at least 2 signal terminals (A,B) for providing a magnetic field for switching the magnetization of the soft magnetic layer of the magnetoresistive element. The latter has at least one further magnetic layer, providing a magnetic offset field affecting the magnetization of the soft magnetic layer.
机译:逻辑电路装置(1)具有至少一个具有硬磁性和软磁性层的磁阻元件(2)以及具有至少两个用于提供用于切换磁化强度的磁场的信号端子(A,B)的相关导体(3)磁阻元件的软磁层的厚度。后者具有至少一个另外的磁性层,其提供影响软磁层的磁化的磁偏置场。

著录项

  • 公开/公告号DE10113787C1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-09-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE2001113787

  • 发明设计人 RICHTER RALF;WECKER JOACHIM;

    申请日2001-03-21

  • 分类号H01L27/22;H03K19/18;G11C11/15;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 00:27:03

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