首页> 外国专利> Logic circuit device uses magnetoresistive element with magnetizable soft magnetic layer and selective perpendicular magnetic field for alteration of logic function

Logic circuit device uses magnetoresistive element with magnetizable soft magnetic layer and selective perpendicular magnetic field for alteration of logic function

机译:逻辑电路器件使用具有可磁化软磁层和选择性垂直磁场的磁阻元件来改变逻辑功能

摘要

The logic circuit device with at least one magnetoresistive element has a current conductor (3) with at least 2 signal terminals for providing a magnetic field acting on the magnetoresistive element, for switching the magnetization of a soft-magnetic layer, with selective generation of a further magnetic field perpendicular to the magnetization of the soft magnetic layer via a second conductor (4).
机译:具有至少一个磁阻元件的逻辑电路装置具有电流导体(3),该电流导体(3)具有至少两个信号端子,用于提供作用在磁阻元件上的磁场,用于切换软磁层的磁化,并选择性地产生通过第二导体(4)垂直于软磁层的磁化强度的另一个磁场。

著录项

  • 公开/公告号DE10053206C1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE2000153206

  • 发明设计人 RICHTER RALF;BANGERT JOACHIM;

    申请日2000-10-26

  • 分类号H03K19/18;G11C11/15;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 00:27:24

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号